Юрий Николаевич Пархоменко

Биография

Прошёл путь от студента Московского института стали и сплавов, аспиранта, младшего, старшего научного сотрудника, заведующего проблемной лабораторией, заведующего кафедрой до директора крупнейшего металлургического института страны – «Гиредмет».

В 2000 году защитил докторскую диссертацию по теме «Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния».

Автор более 200 научных работ, среди которых 3 монографии, 5 патентов, авторские свидетельства. Им созданы: уникальные методы диагностики, физико-химические основы технологии материалов на основе кремния и его соединений, один из самых известных центров исследования строения, состава и свойств неорганических веществ и материалов.

Ведёт большую научно-организационную и педагогическую работу.

Заведующий кафедрой «Материаловедение полупроводников и диэлектриков» МИСиС.

Главный редактор журнала «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники», член редакционной коллегии научно-технического журнала «Наноиндустрия».

Заместитель председателя диссертационного Совета Д. 212.132.06 при МИСиС, член диссертационного Совета Д. 217.043.01 при «Гиредмете».

Под научным руководством Пархоменко Ю.Н. защищены 4 кандидатских и 1 докторская диссертация. В настоящее время он осуществляет руководство 10 аспирантами.

Является руководителем и инициатором создания в МИСиС научно-исследовательского центра коллективного пользования (ЦКП) «Материаловедение и металлургия» и Объединённого центра коллективного пользования МИСиС и Гиредмета.

В 2005 году Ю.Н. Пархоменко удостоен премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники.

С февраля 2006 года — директор института «Гиредмет». За короткий срок ему удалось стабилизировать финансовое положение института и привлечь интерес заказчиков к научным разработкам института.

Основные научные достижения

• Разработан комплекс методик контроля полупроводниковых материалов, наноматериалов, плёнок и покрытий.
• Создан класс кремний-углеродных металлсодержащих плёнок. Свойства этих плёнок позволяют прогнозировать их широкую востребованность в реальных объектах техники.
• Созданы Si-C наноструктуры методом плазмохимического осаждения (PECVD) и получен упорядоченный массив кремний-углеродных наноигл различных размеров на подложке кремния.
• Впервые методом ионной имплантации германия в подложки кремния получены и исследованы методом атомно-силовой микроскопии, сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, ИК-спектроскопии и др. наноразмерные самоупорядоченные структуры, доказаны их квантовые свойства.
• Разработан сканирующий зондовый микроскоп для диагностики нанообъектов.
• Развито новое направление, заключающееся в установлении взаимосвязи между атомной и электронной структурой поверхности, закономерностей процессов фазообразования в многослойных композициях на основе кремния.

Монографии

• Герасименко Н. Н., Пархоменко Ю. Н. Кремний — материал наноэлектроники. М., Техносфера, 2007. — 352 с.

Награды

• Медаль «В память 850-летия Москвы»
• Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации (2006) — за заслуги в научно-педагогической деятельности и большой вклад в подготовку квалифицированных специалистов
• Медаль «За безупречную службу МИСиС»
• Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники для молодых учёных 2005 года (за разработку и получение кремний-германиевых структур с квантовыми точками методом ионной имплантации)