Роберт Нортон Нойс

Биография

В 1956—1957 годах работал в Shockley Semiconductor Laboratory под руководством изобретателя транзистора Уильяма Шокли, а затем вместе с семью коллегами уволился и основал одну из первых фирм по производству кремниевых полупроводников — Fairchild Semiconductor. Работая в Fairchild Semiconductor, Нойс, практически одновременно с Джеком Килби из Texas Instruments, изобрел интегральную микросхему.

В 1968 году Нойс и его давний коллега Гордон Мур основали корпорацию Intel. Спустя два года они создали Intel 1103 — первую запоминающую микросхему DRAM, производимую в коммерческих масштабах. Компьютерная память на полупроводниковых микросхемах скоро вытеснила распространенную в то время память на магнитных сердечниках. Нойс также был руководителем проекта Intel по созданию первого микропроцессора (Intel 4004, выпущен в 1971 году). Вскоре корпорация Intel стала лидером по производству микропроцессоров.

В 1988 году Нойс стал президентом корпорации Sematech, исследовательского консорциума, совместно финансируемого промышленным капиталом и правительством США с целью развития передовых технологий в американской полупроводниковой промышленности.

Патенты Нойса

Нойс является автором 15 патентов:

• Method and apparatus for forming semiconductor structures, февраль 1959, Philco Corporation
• Transistor structure and method, март 1960, Beckmann Instruments
• Semiconductor scanning device, ноябрь 1960, Fairchild Semiconductor
• Transistor structure and method of making the same, январь 1961, Clevite Corporation
• Semiconductor switching device, февраль 1961, Fairchild Semiconductor
• Semiconductor Device and Lead Structure, апрель 1961, Fairchild Semiconductor
• Field effect transistor, ноябрь 1961, Clevite Corporation
• Field controlled avalanche semiconductive device, июль 1963, Clevite Corporation
• Method for fabricating transistors, октябрь 1963, Fairchild Camera и Instrument Corp.
• Transistor structure controlled by an avalanche barrier, ноябрь 1963, Clevite Corporation
• Method of making a transistor structure (соавтор William Shockley), июль 1964, Clevite Corporation
• Semiconductor circuit complex having isolation means, сентябрь 1964, Fairchild Camera и Instrument Corp.
• Method of forming a semiconductor, май 1965, Fairchild Camera и Instrument Corp.
• Solid state circuit with crossing leads, август 1965, Fairchild Camera и Instrument Corp.
• Trainable system, июнь 1967 Fairchild Camera и Instrument Corp.